物理中的A.B.C``````等等之类的字母分别代表着什么意思?

介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场（真空中）与最终介质中电场比值即为介电常数，又称诱电率，与频率相关。介电常数是相对介电常数与真空中绝对介电常数乘积。如果有高介电常数的材料放在电场中，电场的强度会在电介质内有可观的下降。理想导体的相对介电常数为无穷大。根据物质的介电常数可以判别高分子材料的极性大小。通常，相对介电常数大于3.6的物质为极性物质；相对介电常数在2.8-3.6范围内的物质为弱极性物质；相对介电常数小于2.8为非极性物质。在标准大气压下，不含二氧化碳的干燥空气的相对电容率εr＝1.00053。因此，用这种电极构形在空气中的电容Cair来代替C0来测量相对电容率εr时，也有足够的准确度。

介电常数英文名称：dielectric constant说明:又称电容率（permittivity）。介电常数分为：（1）绝对介电常数（absolute dielectric constant）ε0，定义为1／μ0c2，其中μ0为真空磁导率，c为光在真空中的速度；（2）介电常数，定义为电通量密度D除以电场强度E。其SI单位为法/米，常用微法/米、纳法/米、皮法/米；（3）相对介电常数（relative dielectric constant）εr，定义为ε/ε0，其中ε0为真空介电常数，它是无量纲量。在化工中一般使用相对介电常数来表征电介质或绝缘材料电性能。一般化工文献中，往往使用“介电常数”代替“相对介电常数”。但在有可能混淆的场合，不得把相对介电常数简称为介电常数。

"介电常数"（绝对介电常数ε）定义: 电容器极板间充满电介质时, 电容增大的倍数叫做电介质的介电常数,用ε表示 并且明确其单位是F·m-1(定义). 人教版高级中学试验课本《物理》第二册第24页 "介电常数"（相对介电常数εr）定义: 电容器极板间充满某种电介质时, 电容增大到的倍数,叫做这种电介常数, 也用ε表示,没有单位(定义2).

介电常数越大代表着物质越难受到电磁场的影响。介电常数是描述物质抵抗电场影响的能力的物理量之一。这个常数可以帮助我们了解物质对于电磁场的响应情况，该值越大代表着物质越难受到电磁场的影响。本文将从物理角度对介电常数进行解释，并介绍该值在电学、材料科学、电子工程方面的相关应用。一、介电物质的概念1.自由电荷：当我们在空气或真空中放置一个静电荷的时候，静电荷会发现自己周围存在着一定强度的电场。对于自由电荷而言，假设其位于均匀电场中，其电势能与电场大小和电荷相关。2.介电物质：相比于自由电荷和空气等，介电物质的质量、真实密度等物理特性可以降低发电机的作用范围，从而减少自由电荷的运动。介电物质通常包括氧化镁、氧化锌以及二氧化硅等天然物质，以及聚乙烯、聚四氟乙烯、聚乙烯醇等高分子化合物。二、介电常数的含义1.定义：介电常数是介电物质在任何电场中的响应能力，通常定义为相对除真空外介质相对而言的介电常数。2.物理背景：介电常数的数值越大，表示介电物质相比真空更难受到电场的影响。这是因为，介电常数代表了介质内部的原子和分子等微观粒子对于电场干扰的敏感度。3.数值范围：介电常数的测量值与不同介质的特性有关。一般来说，介电常数小于1的物质被称为低介电常数介质，大于1的被称为高介电常数介质。三、介电常数的应用1.电学：对于介电物质而言，介电常数对于电容器、浮具以及传感器等电学元件的设计非常重要。在“介电回旋共振”调制器设计中，介电常数对于调制电源变化的响应时间也有很重要的影响。2.材料科学：介电常数可以为开发新材料提供理论支持，从而帮助人类更加精准的调节和控制材料的电学性能。介电常数在探测材料中的内部结构以及非损铸造预测等方面也有重要作用。3.电子工程：介电常数被广泛应用于微电子集成电路打样设计、电容绝缘材料选型和电源隔绝。例如，在地震预警观测设备中，对于高介电常数介质的应用能大大提升数据处理的速度和准确性。拓展知识：1.介电常数具体数值分析：不同物质的介电常数数值不同，比如真空的介电常数为1，而水的介电常数约为80.4，聚合物的介电常数通常在2-10之间。2.小尺度下介电常数变化：在很小的尺度下，比如介电材料的表面形态和纳米材料，其介电常数与材料表面形态和方式等因素有关，这种现象通常称之为极限吸附和气体渗透等。3.高温高压下介电常数变化：在特定的高温高压条件下，许多第一类和第二类气体都会出现极高的介电常数，表现为等离子体状态。

　　高中阶段在静电场中电容的决定式中出现ε　　C=εS/4πKd　　ε表示介电常数　　介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数，以字母ε表示，单位为法/米 .　　很多不同的物质的介电常数超过1。这些物质通常被称为绝缘体材料，或是绝缘体。普遍使用的绝缘体包括玻璃，纸，云母，各种不同的陶瓷，聚乙烯和特定的金属氧化物。　　一个电容板中充入介电常数为ε的物质后电容变大ε倍。

这个的意思是相对介电常数。高k介质中的k表示相对介电常数，也称为介电常数或介质常数。相对介电常数是一个物质相对于真空（或空气）的电容率，即介质中电场强度与真空（或空气）中电场强度的比值。高k介质的相对介电常数通常大于10，相较于空气或真空的介电常数而言，高k介质的电容率更大，因此可以在电学器件中用于增强电容效应。

物质在电场中的电学性质。相对介电常数是物质在电场中的电学性质之一，用来描述物质对电场的响应程度，用εr表示，定义为物质的介电常数ε与真空中的介电常数ε0之比。

电工中一般认为电阻率超过10欧厘米的物质便归于电介质。介电常数意义是物质相对于真空来说增加电容器电容能力的度量。介电常数随偶极矩和极化率的增大而增大。在化学中，介电常数是溶剂的一个重要性质，它表征了溶剂溶解溶质和分离离子的能力。介电常数大的溶剂具有分离离子和溶剂化的能力。电介质包括气态、液态和固态等范围广泛的物质，也包括真空。固态电介质包括晶体电介质和非晶电介质，非晶电介质包括玻璃、树脂和聚合物，是良好的绝缘材料。在外电场作用下形成宏观束缚电荷的现象称为电拨号，能产生这种现象的物质称为电介质。扩展资料：电介质处于外加电场中时，会出现电偶极子。电偶极子是一种彼此非常接近的电荷，但有两个相反的符号和相等的大小。例如，如果氢原子被放置在外部电源提供的电场中，如果外部电场为零，在正常情况下电荷分布是球对称的，正负电荷的平均位置重合，不形成电偶极子。如果有外部电场，电场会拉低负电荷，推高正电荷。正电荷和负电荷的平均位置不再重合，将形成电偶极子。电偶极子在其周围产生电场。它的特性可以用它的电偶极矩P，p=qd来表示。这里，q是每个电荷的电量（绝对值）；d等于两个电荷之间的距离，其方向指定为从负电荷指向正电荷。参考资料来源：百度百科-电介质参考资料来源：百度百科-介电常数

高k是高介电常数的意思。高K值材料与应变硅加速晶体管内电流速度相反，在不同晶体管之间需要更好的绝缘，以避免电流泄漏的问题。就是材料应具有良好的绝缘属性，同时在栅极和晶体硅衬底上的通道之间(源极和漏极之间)产生很好的场效应，就是高K。

介电常数的虚部与介质的电导率有关系，电导率越大损耗虚部也越大，ε=ε‘+iσ/ω。ε‘为实介电系数。σ为介质电导率。ω为电磁波的角频率。经典的描述为：介电常数是复数量，实部代表电容率，虚部代表损耗，虚部和电导有关，虚部越大，电导率越大，绝缘性能越差。但都是绝缘体它不导电的，是介电材料。导电就等于击穿了。扩展资料电导率影响因素1、温度电导率与温度具有很大相关性。金属的电导率随着温度的升高而减小。半导体的电导率随着温度的升高而增加。在一段温度值域内，电导率可以被近似为与温度成正比。为了要比较物质在不同温度状况的电导率，必须设定一个共同的参考温度。电导率与温度的相关性，时常可以表达为，电导率对上温度线图的斜率。2、掺杂程度固态半导体的掺杂程度会造成电导率很大的变化。增加掺杂程度会造成电导率增高。水溶液的电导率高低相依于其内含溶质盐的浓度，或其它会分解为电解质的化学杂质。水样本的电导率是测量水的含盐成分、含离子成分、含杂质成分等等的重要指标。水越纯净，电导率越低（电阻率越高）。水的电导率时常以电导系数来纪录；电导系数是水在 25°C 温度的电导率。3、各向异性有些物质会有各向异性(anisotropy) 的电导率，必需用 3 X 3 矩阵来表达（使用数学术语，第二阶张量，通常是对称的）。参考资料来源：百度百科-电导率参考资料来源：百度百科-相对介电常数

用电荷密度的数量除以2倍的介电常数的数量。电荷密度除以2倍介电常数的意思是用电荷密度的数量除以2倍的介电常数的数量，此常数是指物质保持电荷的能力，损耗因数是指由于物质的分散程度使能量损失的大小。

问题一：物理中介质是什么意思，包含什么 就是传播的递质 基本上任何物体都可以做介质，要看具体情况而定。 递质就是媒介。 比如说声音在空气中传播，空气就是介质。 光在水中传播，水就是介质。 因为声音通过空气从一头传到另一头，所以空气就是媒介。 问题二：介质什么意思 媒介物质 在两种物质或信息之间起桥梁作用 问题三：电介质物理学的基本概念 电极化的基本过程有三个：①原子核外电子云的畸变极化；②分子中正、负离子的（相对）位移极化；③分子固有电矩的转向极化。在外界电场作用下，介质的介电常数 ε是综合地反映这三种微观过程的宏观物理量；它是频率 ω的函数ε（ω）。只当频率为零或频率很低（例如1千赫）时，三种微观过程都参与作用，这时的介电常数ε（0）对于一定的电介质而言是个常数，通称为介电常数，这也就是静电介电常数εs或低频介电常数。随着频率的增加，分子固有电矩的转向极化逐渐落后于外场的变化，这时，介电常数取复数形式ε（ω）=ε′（ω）-jε″（ω），其中虚部ε″（ω）代表介质损耗；它是由于电极化过程追随不上外场的变化而引起的。实部随着频率的增加而显著下降，虚部出现峰值，如图1所示。频率再增加，实部ε′（ω）降至新值，虚部ε″（ω）变为零，这表示分子固有电矩的转向极化已不能响应了。当频率进入到红外区，分子中正、负离子电矩的振动频率与外场发生共振时，实部ε′（ω）先突然增加，随即陡然下降，ε″（ω）又出现峰值；过此以后，正、负离子的位移极化亦不起作用了。在可见光区，只有电子云的畸变极化在起作用了，这时实部取更小的值，称为光频介电常数，记以ε→∞，虚部对应于光吸收。光频介电常数ε→∞实际上随频率的增加而略有增加，这是正常色散。在某些频率时，实部ε′（ω）先突然增加随即陡然下降，与此同时虚部ε″（ω）出现峰值，这对应于电子跃迁的共振吸收。对于电介质，麦克斯韦方程组指出，光的折射率n的二次方等于介电常数即光频介电常数ε→∞（n2=ε→∞）。拿水来说，因为水分子具有很大的固有电矩，水的静电介电常数为81。但是，它的折射率为1.33，亦即水的光频介电常数ε→∞约为1.77，比81小得多；这是因为在极高频的光电场作用下，只有电子过程才起作用的缘故。对于结构紧密的固态介质，除接近熔点时的情况外，分子电矩的直接转向过程是不存在的。但固态介质中总是有缺陷的，在外电场作用下，带电缺陷从一个平衡位置跳跃到另一个平衡位置，其效果就相当于电矩的转向。一些具有强离子性（键）的固体，它们的静电介电常数εs总比n2的数值大得多，除离子位移极化的贡献外，差值就是带电缺陷在外电场作用下的跳跃所引起的。只有共价键的原子晶体，如金刚石、锗、硅等，它们的静电介电常数εs的数值才与n2的数值很接近。但是，对于Ⅲ-Ⅴ族化合物，如GaAs、InP等，它们虽然主要是共价（键）结构，但因附加了离子键，其静电介电常数εs也比折射率二次方值n2大得多。因此，研究介电常数随频率的变化即研究介电常数的频散（色散）关系、研究介质损耗、介质吸收以及介质弛豫，对于分析分子和固体的结构、化学键的性质以及分子的转动、离子的振动等显然是十分重要的。这些研究既是电介质物理的重要内容，也是分子物理、固体物理的重要内容。微波波谱学、红外光谱学以及激光光谱学与电介质物理有着互相交叠的领域，这些研究从不同的角度发展，相辅相成，相得益彰，在物理学和化学上占据着重要的地位。这些工作对于高分子材料、玻璃陶瓷材料以及非晶态材料的发展，是非常重要的。 在电介质物理的发展过程中，有效场或内（电）场问题，始终是个困难的理论问题，曾引起过许多学者的讨论，但一直没有得到圆满的解决。问题是这样提出的，在外电场的作用下，电介质内部发生电极化，整个介质出现宏观电场，但作用在每个分子、原子上使之发生极化的有效场（内场）显然不包括该分子、原子自身极化所产生的电场，因而有效场不等于宏观场。考虑有效场时，必须把所讨论的分子（或原子）排除。对于所讨论的分子（原子）来说，近邻的和远离的其......>> 问题四：笔记本电脑插入介质是什么意思 就是优盘 外置光盘 和其他通过接口连接的设备

ε 希腊字母艾普西隆Epsilon（大写Ε，小写ε），是第五个希腊字母。 小写的ε用於： 数学： 非常小 集合的关系中，表示「属于」的「∈」符号 列维-齐维塔符号(Levi-Civita symbol) 电脑科学： 空字符串 数值型态的精确度 物理学：一个导体的介电常数 美式英语中使用的一个音标，即 bed 的 e 音。 拉丁字母的 E 是从 Epsilon 变来。

TPX 表示是纸版的纺织服装家居色卡，TPX很早之前就已经停产了，最新是TPG色卡，现在有2625种色彩 。【点击了解Pantone Connect】 色号后面是TPX结尾的是pantone纺织家居色卡，(14-2541TPX)TPX指以纸版印制的色卡，相对应的有TCX(指棉布色卡)。PANTONE色卡为国际通用的标准色卡。中文惯称潘通。PANTONE色卡是享誉世界的色彩权威，涵盖印刷、纺织、塑胶、绘图、数码科技等领域的色彩沟通系统，已经成为当今交流色彩信息的国际统一标准语言。PANTONE色卡大致可分为 PANTONE印刷色卡，PANTONE纺织色卡，PANTONE 塑胶色卡和 PANTONE色卡相对应的一些仪器等，PANTONE色卡涉及范围比较广泛。PANTONE的每个颜色都是有其唯一的编号的，只要根据所掌握的编号就可以准确地知道所需要的色卡种类。比如PANTONE印刷色卡中颜色的编号就是以 3 位数字或 4 位数字加字母 C 或 U 构成的。例 pantone 100c 或 100u, 或 pantone 1205C 或 1205U。字母 C 的意思是表示这个颜色在铜版纸（ coated ） 上的表现 。想要了解更多关于pantone色卡和色号的相关信息，推荐下载最新的彩通色彩平台 Pantone Connect, 可以免费使用每个色库中所有 15,000 种彩通色彩进行创作与设计，确保品牌、服装及商品设计的一致性和准确性。 可通过 Adobe_ Creative Cloud Marketplace 获得，并在 Adobe_ Creative Suite 中使用，也可以通过 App Store (iOS) 和 Google Play (Android) 下载到您的智能手机（华为、腾讯、小米应用商店中也可直接下载），此外还可通过 Web 应用程序的形式直接在 Web 浏览器中使用。

介质损耗正切角：表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小。δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。介质损耗不但消耗了电能，而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大，甚至会引起介质的过热而绝缘破坏，所以从这种意义上讲，介质损耗越小越好。介质损耗正切角是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数，为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。扩展资料：原理：材料介电性能主要用介电常数ε和介电损耗角正切tanδ来表征，其中介电常数是综合反映电介质极化行为的宏观物理量。介电损耗角正切表征每个周期内介质损耗的能量与其贮存能量之比 。作用：在实际工程应用中，介质损耗通常都是用介质损耗角的正切tanδ来表示的。用tanδ值来研究电介质损耗具有以下两个明显的优点：（1）tanδ值可以和介电常数ε同时测量得到；（2）tanδ值与测量样品的大小和形状都无关，是电介质自身的属性，并且在许多情况下，tanδ值比ε值对介质特性的改变敏感的多。参考资料来源：百度百科——介质损耗

物理量（单位） 公式 备注 公式的变形速度V（m/S） v= S /t （S:：路程； t：:时间 ）重力G（N） G=mg (m：质量；g：9.8N/kg或者10N/kg)密度ρ（kg/m3） ρ= m：质量/V：体积 （m：质量；V：体积）浮力F浮(N) F浮=G物—G液 （G液：物体在液体的重力）浮力F浮(N) F浮=G物 （此公式只适用物体漂浮或悬浮）浮力F浮(N) F浮=G排=m排g=ρ液gV排 (G排：排开液体的重力；m排：排开液体的质量；ρ液：液体的密度；V排：排开液体的体积，即浸入液体中的体积)杠杆的平衡条件 F1L1= F2L2（ F1：动力 L1：动力臂 F2：阻力 L2：阻力臂 ）定滑轮 F=G物 S=h （F：绳子自由端受到的拉力；G物：物体的重力；S：绳子自由端移动的距离；h：物体升高的距离 ）动滑轮 F= （G物+G轮）S=2 h （G物：物体的重力；G轮：动滑轮的重力 ）滑轮组 F= （G物+G轮）S=n h （n：通过动滑轮绳子的段数 ）功W（J） W=Fs （F：力 ；s：在力的方向上移动的距离）有用功W有总功W总 W有=G物h W总=Fs （适用滑轮组竖直放置时 ）机械效率 η= ×100%功率P（w） P= W/t （W：功 t：时间 ）压强p（Pa） P= F/S（F：压力S：受力面积 ）液体压强p（Pa） P=ρgh （ρ：液体的密度；h：深度（从液面到所求点的竖直距离）热量Q（J） Q=cm△t （c：物质的比热容 m：质量；△t：温度的变化值 ）燃料燃烧放出的热量Q（J） Q=mq（ m：质量;q：热值 ）串联电路：电流I（A） I=I1=I2=…… （电流处处相等）电压U（V） U=U1+U2+…… （串联电路起分压作用）电阻R（Ω） R=R1+R2+……并联电路：电流I（A） I=I1+I2+…… （干路电流等于各支路电流之和（分流）电压U（V） U=U1=U2=……电阻R（Ω） 1/R=1/R1+1/R2+……欧姆定律 I=U/R （电路中的电流与电压成正比，与电阻成反比）电流定义式 I= Q/t (Q：电荷量（库仑）;t：时间（S）电功W（J） W=UIt=Pt （U：电压 I：电流 t：时间 P：电功率 ）电功率 P=UI=I编辑于 2013-11-09提交成功!已经为你找到更多好答案~查看相似答案查看下一条回答查看全部4个回答初中物理公式大全表，超万人教研团队，精准把控命题趋势根据初中物理课程相关内容为您推荐物理掌门1对1初中物理公式大全表，在线1对1辅导品牌，免费全面学情评测，找准学习漏洞，找出失分点，掌门1对1初中物理公式大全表，好老师提前抢!zhangmen.org广告八下物理公式合集根据初中物理课程相关内容为您推荐物理这是我给大家整理的八下物理的公式，希望可以帮到你，图片可以放大哦xiaohongshu.com广告初中物理每个字母都代表什么含义？专家1对1在线解答问题5分钟内响应 | 万名专业答主马上提问篮球大图 正在咨询一个旅游问题2条评论桔影寒萧赞谢谢查看全部2条评论— 你看完啦，以下内容更有趣 —岳阳八年级上册物理公式大全，6000万家长的选择，精英老师在线1对1掌门1对1八年级上册物理公式大全，五层筛选全国优秀教师，紧扣各地教材，中小学全科在线辅导，1对1制定个性化教程，免费测评课，准确判断您孩子的学习水平广告2021-05-12初中物理中各种字母代表什么意思？1、质量 m 2、温度 t 3、速度 v 4、密度 ρ 5、力（重力） F 6、压强 P 7、功 W 8、功率 P 一、力(F)：力是物体对物体的作用，物体间力的作用总是相互的。力的单位：牛顿（N）。 二、力的三要素：力的大小、方向、作用点叫做力的三要素。力的图示，要作标度；力的示意图，不作标度。 三、重力G：由于地球吸引而使物体受到的力。方向：竖直向下。重力和质量关系：G=mg m=G/g，g=9.8牛/千克。读法：9.8牛每千克，表示在地球上质量为1千克物体所受重力为9.8牛。 扩展资料： 光学： 一、光的直线传播：光在同一种均匀介质中是沿直线传播的。小孔成像、影子、光斑是光的直线传播现象。光在真空中的速度最大为3×10^8米/秒=3×10^5千米/秒 二、光的反射定律:一面二侧三等大。入射光线和法线间的夹角是入射角。反射光线和法线间夹角是反射角。 1、平面镜成像特点：虚像，等大，等距离，与镜面对称。物体在水中倒影是虚像属光的反射现象。 2、平面镜成像实验不用平面镜而用玻璃是便于找到像的位置，比较像与物的大小关系 三、光的折射现象和规律： 看到水中筷子、鱼的虚像是光的折射现象。凸透镜对光有会聚光线作用，凹透镜对光有发散光线作用。 光的折射定律：一面二侧三随大四空大。 四、凸透镜成像规律：U=f时不成像 U=2f时 V=2f成倒立等大的实像 1、u>2f f<v<2f 倒缩小实，照相机。 2、f<u<2f v>2f 倒放大实，幻灯机。 3、u<f 放大正虚 放大镜 五、凸透镜成像实验：将蜡烛、凸透镜、光屏依次放在光具座上，使烛焰中心、凸透镜中心、光屏中心在同一个高度上。 参考资料来源：百度百科-初中物理14赞·10,088浏览2019-10-07求物理中各个字母所代表的含义质量 m 千克 kg m=ρv 温度 t 摄氏度 °C 速度 v 米／秒 m/s v=s/t 密度 p 千克／米3 kg/m3 p=m/v 力（重力） F 牛顿（牛） N G=mg 压强 P 帕斯卡（帕） Pa P=F/S 功 W 焦耳（焦） J W=Fs 功率 P 瓦特（瓦） w P=W/t 电流 I 安培（安） A I=U/R 电压 U 伏特（伏） V U=IR 电阻 R 欧姆（欧） Ω R=U/I 电功 W 焦耳（焦） J W=UI t 电功率 P 瓦特（瓦） w P=W/t=UI 热量 Q 焦耳（焦） J Q=cm△t 扩展资料： 物理学研究的领域可分为下列方面： 1、凝聚态物理——研究物质宏观性质，这些物相内包含极大数目的组元，且组员间相互作用极强。最熟悉的凝聚态相是固体和液体，它们由原子间的键和电磁力所形成。 更多的凝聚态相包括超流和波色-爱因斯坦凝聚态（在十分低温时，某些原子系统内发现）；某些材料中导电电子呈现的超导相；原子点阵中出现的铁磁和反铁磁相。 凝聚态物理一直是最大的的研究领域。历史上，它由固体物理生长出来。1967年由菲立普·安德森最早提出，采用此名。 2、原子，分子和光学物理——研究原子尺寸或几个原子结构范围内，物质-物质和光-物质的相互作用。这三个领域是密切相关的。 因为它们使用类似的方法和有关的能量标度。它们都包括经典和量子的处理方法；从微观的角度处理问题。 原子物理处理原子的壳层，集中在原子和离子的量子控制；冷却和诱捕；低温碰撞动力学；准确测量基本常数； 电子在结构动力学方面的集体效应。原子物理受核的影晌。但如核分裂，核合成等核内部现象则属高能物理。 分子物理集中在多原子结构以及它们，内外部和物质及光的相互作用，这里的光学物理只研究光的基本特性及光与物质在微观领域的相互作用。 3、高能/粒子物理——粒子物理研究物质和能量的基本组元及它们间的相互作用；也可称为高能物理。 因为许多基本粒子在自然界不存在，只在粒子加速器中与其它粒子高能碰撞下才出现。据基本粒子的相互作用标准模型描述，有12种已知物质的基本粒子模型（夸克和轻粒子）。它们通过强，弱和电磁基本力相互作用。标准模型还预言一种希格斯-波色粒子存在。现正寻找中。 参考资料：百度百科-物理83赞·4,389浏览2019-07-29初中物理中各种字母代表什么意思1、质量 m 2、温度 t 3、速度 v 4、密度 ρ 5、力（重力） F 6、压强 P 7、功 W 8、功率 P 一、力(F)：力是物体对物体的作用，物体间力的作用总是相互的。力的单位：牛顿（N）。 二、力的三要素：力的大小、方向、作用点叫做力的三要素。力的图示，要作标度；力的示意图，不作标度。 三、重力G：由于地球吸引而使物体受到的力。方向：竖直向下。重力和质量关系：G=mg m=G/g，g=9.8牛/千克。读法：9.8牛每千克，表示在地球上质量为1千克物体所受重力为9.8牛。 扩展资料： 光学： 一、光的直线传播：光在同一种均匀介质中是沿直线传播的。小孔成像、影子、光斑是光的直线传播现象。光在真空中的速度最大为3×10^8米/秒=3×10^5千米/秒 二、光的反射定律:一面二侧三等大。入射光线和法线间的夹角是入射角。反射光线和法线间夹角是反射角。 1、平面镜成像特点：虚像，等大，等距离，与镜面对称。物体在水中倒影是虚像属光的反射现象。 2、平面镜成像实验不用平面镜而用玻璃是便于找到像的位置，比较像与物的大小关系 三、光的折射现象和规律： 看到水中筷子、鱼的虚像是光的折射现象。凸透镜对光有会聚光线作用，凹透镜对光有发散光线作用。 光的折射定律：一面二侧三随大四空大。 四、凸透镜成像规律：U=f时不成像 U=2f时 V=2f成倒立等大的实像 1、u>2f f<v<2f 倒缩小实，照相机。 2、f2f 倒放大实，幻灯机。 3、u<f 放大正虚 放大镜 五、凸透镜成像实验：将蜡烛、凸透镜、光屏依次放在光具座上，使烛焰中心、凸透镜中心、光屏中心在同一个高度上。 参考资料来源：百度百科-初中物理79赞·2,861浏览2019-09-23初中物理中各种字母代表什么意思A 振幅 a 加速度 B 磁场强度 C 比热容、电容 c 光速 D 电位移矢量 d 光栅常数 E 电场强度 e 电子电量 F 力、法（电容单位） f 摩擦力、振动频率 G 重力 g 重力加速度 H 磁化强度矢量、亨（电感单位） h 高度、深度、普朗克常数 I 电流 i 自由度 J 焦耳（热量、能量单位）、交叠积分 K 开尔文（热力学温度单位） m 质量 N 压力/支持力 n 折射率 P 电功率 p 压强 Q 热量、电量 q 电量 R 电阻 r 位移、距离 S 路程 s 秒 T 温度、振动周期 t 时间 U 电压、电势 V 伏特（电压单位） v 速度 W 功 X 磁化率 Z 配分函数16赞·544浏览2017-03-02求初中物理所有公式，求详细的写出每个字母代表什么意思，谢谢！！！速度 υ= S / t 1m / s = 3.6 Km / h 声速υ= 340m / s 光速C = 3×108 m /s 密度 ρ= m / V 1 g / c m3 = 103 Kg / m3 合力 F = F1 - F2 F = F1 + F2 F1、F2在同一直线线上且方向相反 F1、F2在同一直线线上且方向相同 压强 p = F / S p =ρg h p = F / S适用于固、液、气 p =ρg h适用于竖直固体柱 p =ρg h可直接计算液体压强 1标准大气压 = 76 cmHg柱 = 1.01×105 Pa = 10.3 m水柱 浮力 ① F浮 = G – F ②漂浮、悬浮：F浮 = G ③ F浮 = G排 =ρ液g V排 ④据浮沉条件判浮力大小 （1）判断物体是否受浮力 （2）根据物体浮沉条件判断物体处 于什么状态 （3）找出合适的公式计算浮力 物体浮沉条件（前提：物体浸没在液体中且只受浮力和重力）： ①F浮＞G（ρ液＞ρ物）上浮至漂浮 ②F浮 =G（ρ液　=ρ物）悬浮 ③F浮 ＜ G（ρ液 ＜ ρ物）下沉 杠杆平衡条件 F1 L1 = F2 L 2 杠杆平衡条件也叫杠杆原理 滑轮组 F = G / n F =（G动 + G物）/ n SF = n SG 理想滑轮组 忽略轮轴间的摩擦 n：作用在动滑轮上绳子股数 功 W = F S = P t 1J = 1Nu2022m = 1Wu2022s 功率 P = W / t = Fυ 1KW = 103 W，1MW = 103KW 有用功 W有用 = G h（

u200d一电容的作用作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种：应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用，下面分类详述之。1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。2）去藕去藕，又称解藕。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取 0.1?F、0.01?F 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是 10?F 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。3）滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过 1?F 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频 率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000?F）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。4）储能储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为 40～450VDC、电容值在 220～150 000?F 之间的铝电解电容器是较为常用的。根不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过 10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。应用于信号电路，主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用：1）耦合举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号 产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件。如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗，这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。2）振荡/同步包括 RC、LC 振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。3）时间常数这就是常见的 R、C 串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：i = (V / R)e- (t / CR)二电容的选择通常，应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢？EDA365电子论坛认为，应基于以下几点考虑：1）静电容量2）额定耐压3）容值误差4）直流偏压下的电容变化量5）噪声等级6）电容的类型7）电容的规格那么，是否有捷径可寻呢？其实，电容作为器件的外围元件，几乎每个器件的 Datasheet 或者 Solutions，都比较明确地指明了外围元件的选择参数，也就是说，据此可以获得基本的器件选择要求，然后再进一步完善细化之。其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装，具体要看产品所使用环境，特殊的电路必须用特殊的电容。下面是 chip capacitor 根据电介质的介电常数分类，介电常数直接影响电路的稳定性。NP0 or CH （K < 150）：电气性能最稳定，基本上不随温度﹑电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的高频电路。鉴于 K 值较小，所以在 0402、0603、0805 封装下很难有大容量的电容。如 0603 一般最大的 10nF 以下。X7R or YB （2000 < K < 4000）：电气性能较稳定，在温度、电压与时间改变时性能的变化并不显著（?C < ±10%）。适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路。Y5V or YF（K > 15000）：容量稳定性较 X7R 差（?C < +20% ～ -8 0%），容量损耗对温度、电压等测试条件较敏感，但由于其 K 值较大，所以适用于一些容值要求较高的场合。三电容的分类电容的分类方式及种类很多，基于电容的材料特性，其可分为以下几大类：1）铝电解电容电容容量范围为 0.1?F ～ 22000?F，高脉动电流、长寿命、大容量的不二之选，广泛应用于电源滤波、解藕等场合。2）薄膜电容电容容量范围为 0.1pF ～ 10?F，具有较小公差、较高容量稳定性及极低的压电效应，因此是 X、Y 安全电容、EMI/EMC 的首选。3）钽电容电容容量范围为 2.2?F ～ 560?F，低等效串联电阻（ESR）、低等效串联电感（ESL）。脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容，是高稳定电源的理想选择。4）陶瓷电容电容容量范围为 0.5pF ～ 100?F，独特的材料和薄膜技术的结晶，迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。5）超级电容电容容量范围为 0.022F ～ 70F，极高的容值，因此又称做“金电容”或者“法拉电容”。主要特点是：超高容值、良好的充/放电特性，适合于电能存储和电源备份。缺点是耐压较低，工作温度范围较窄。四多层陶瓷电容对于电容而言，小型化和高容量是永恒不变的发展趋势。其中，要数多层陶瓷电容（MLCC）的发展最快。多层陶瓷电容在便携产品中广泛应用极为广泛，但近年来数字产品的技术进步对其提出了新要求。例如，手机要求更高的传输速率和更高的性能；基带处理 器要求高速度、低电压；LCD 模块要求低厚度（0.5mm）、大容量电容。而汽车环境的苛刻性对多层陶瓷电容更有特殊的要求：首先是耐高温，放置于其中的多层陶瓷电容必须能满足 150℃ 的工作温度；其次是在电池电路上需要短路失 效保护设计。也就是说，小型化、高速度和高性能、耐高温条件、高可靠性已成为陶瓷电容的关键特性。陶瓷电容的容量随直流偏置电压的变化而变化。直流偏置电压降低了介电常数，因此需要从材料方面，降低介电常数对电压的依赖，优化直流偏置电压特性。应用中较为常见的是 X7R（X5R）类多层陶瓷电容， 它的容量主要集中在1000pF以上，该类电容器主要性能指标是等效串联电阻（ESR），在高波纹电流的电源去耦、滤波及低频信号耦合电路的低功耗表现比较突出。另一类多层陶瓷电容是C0G类，它的容量多在 1000pF 以下，该类电容器主要性能指标是损耗角正切值 tgδ(DF)。传统的贵金属电极（NME）的 C0G 产品 DF 值范围是（2.0 ～ 8.0）× 10-4，而技术创新型贱金属电极（BME）的C0G产品DF值范围为 (1.0 ～ 2.5)×10-4，约是前者的31 ～ 50%。该类产品在载有T/R模块电路的GSM、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。较多用于各种高频电路，如振荡/同步器、定时器电路等。五钽电容替代电解电容的误区通常的看法是钽电容性能比铝电容好，因为钽电容的介质为阳极氧化后生成的五氧化二钽，它的介电能力（通常用 ε 表示）比铝电容的三氧化二铝介质要高。因此在同样容量的情况下，钽电容的体积能比铝电容做得更小。（电解电容的电容量取决于介质的介电能力和体积，在容量一定的情况下，介电能力越高，体积就可以做得越小，反之，体积就需要做得越大）再加上钽的性质比较稳定，所以通常认为钽电容性能比铝电容好。但这种凭阳极判断电容性能的方法已经过时了，目前决定电解电容性能的关键并不在于阳极，而在于电解质，也就是阴极。因为不同的阴极和不同的阳极可以组合成不同种类的电解电容，其性能也大不相同。采用同一种阳极的电容由于电解质的不同，性能可以差距很大，总之阳极对于电容性能的影响远远小于阴极。还有一种看法是认为钽电容比铝电容性能好，主要是由于钽加上二氧化锰阴极助威后才有明显好于铝电解液电容的表现。如果把铝电解液电容的阴极更换为二氧化锰， 那么它的性能其实也能提升不少。可以肯定，ESR 是衡量一个电容特性的主要参数之一。但是，选择电容，应避免 ESR 越低越好，品质越高越好等误区。衡量一个产品，一定要全方位、多角度的去考虑，切不可把电容的作用有意无意的夸大。普通电解电容的结构是阳极和阴极和电解质，阳极是钝化铝，阴极是纯铝，所以关键是在阳极和电解质。阳极的好坏关系着耐压电介系数等问题。一般来说，钽电解电容的 ESR 要比同等容量同等耐压的铝电解电容小很多，高频性能更好。如果那个电容是用在滤波器电路（比如中心为 50Hz 的带通滤波器）的话，要注意容量变化后对滤波器性能的影响。六旁路电容的应用问题嵌入式设计中，要求 MCU 从耗电量很大的处理密集型工作模式进入耗电量很少的空闲/休眠模式。这些转换很容易引起线路损耗的急剧增加，增加的速率很高，达到 20A/ms 甚至更快。通常采用旁路电容来解决稳压器无法适应系统中高速器件引起的负载变化，以确保电源输出的稳定性及良好的瞬态响应。旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。应该明白，大容量和小容量的旁路电容都可能是必需的，有的甚至是多个陶瓷电容和钽电容。这样的组合能够解决上述负载电流或许为阶梯变化所带来的问题，而且还能提供足够的去耦以抑制电压和电流毛刺。在负载变化非常剧烈的情况下，则需要三个或更多不同容量的电容，以保证在稳压器稳压前提供足够的电流。快速的瞬态过程由高频小容量电容来抑制，中速的瞬态过程由低频大容量来抑制，剩下则交给稳压器完成了。还应记住一点，稳压器也要求电容尽量靠近电压输出端。七电容的等效串联电阻 ESR普遍的观点是：一个等效串联电阻（ESR）很小的相对较大容量的外部电容能很好地吸收快速转换时的峰值（纹波）电流。但是，有时这样的选择容易引起稳压器（特别是线性稳压器 LDO）的不稳定，所以必须合理选择小容量和大容量电容的容值。永远记住，稳压器就是一个放大器，放大器可能出现的各种情况 它都会出现。由于 DC/DC 转换器的响应速度相对较慢，输出去耦电容在负载阶跃的初始阶段起主导的作用，因此需要额外大容量的电容来减缓相对于 DC/DC 转换器的快速转换，同时用高频电容减缓相对于大电容的快速变换。通常，大容量电容的等效串联电阻应该选择为合适的值，以便使输出电压的峰值和毛刺在器件的 Dasheet 规定之内。高频转换中，小容量电容在 0.01?F 到 0.1?F 量级就能很好满足要求。表贴陶瓷电容或者多层陶瓷电容（MLCC）具有更小的 ESR。另外，在这些容值下，它们的体积和 BOM 成本都比较合理。如果局部低频去耦不充分，则从低频向高频转换时将引起输入电压降低。电压下降过程可能持续数毫秒，时间长短主要取决于稳压器调节增益和提供较大负载电流的时间。用 ESR 大的电容并联比用 ESR 恰好那么低的单个电容当然更具成本效益。然而，这需要你在 PCB 面积、器件数目与成本之间寻求折衷。八电解电容的电参数这里的电解电容器主要指铝电解电容器，其基本的电参数包括下列五点：1）电容值电解电容器的容值，取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值，也就是交流电容值，随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。在标准 JISC 5102 规定：铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz，最大交流电压为 0.5Vrms，DC bias 电压为 1.5 ～ 2.0V 的条件下进行。可以断言，铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。2）损耗角正切值 Tan δ在电容器的等效电路中，串联等效电阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ， 这里的 ESR 是在 120Hz 下计算获得的值。显然，Tan δ 随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大。3）阻抗 Z在特定的频率下，阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗（Z）。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切相关，且与 ESR 也有关系。Z = √ [ESR2 + (XL - XC)2 ]式中，XC = 1 / ωC = 1 / 2πfCXL = ωL = 2πfL电容的容抗（XC）在低频率范围内随着频率的增加逐步减小，频率继续增加达到中频范围时电抗（XL）降至 ESR 的值。当频率达到高频范围时感抗（XL）变为主导，所以阻抗是随着频率的增加而增加。4）漏电流电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。5）纹波电流和纹波电压在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”，其实就是 ripple current，ripple voltage。含义即为电容器所能耐受纹波电流/电压值。它们和 ESR 之间的关系密切，可以用下面的式子表示：Urms = Irms × R式中，Vrms 表示纹波电压Irms 表示纹波电流R 表示电容的 ESR由上可见，当纹波电流增大的时候，即使在 ESR 保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高。换言之，当纹波电压增大时，纹波电流也随之增大，这也是要求电容具备更低 ESR 值的原因。叠加入纹波电流后，由于电容内部的等效串连电阻（ESR）引起发热，从而影响到电容器的使用寿命。一般的，纹波电流与频率成正比，因此低频时纹波电流也比较低。九电容器参数的基本公式1）容量（法拉）英制：C = ( 0.224 × K · A) / TD公制：C = ( 0.0884 × K · A) / TD2）电容器中存储的能量1/2CV23）电容器的线性充电量I = C (dV/dt)Z = √ [ RS2 + (XC – XL)2 ]XC= 1/(2πfC)D.F. = tan δ （损耗角）= ESR / XC= (2πfC)(ESR)Q = cotan δ = 1/ DFESR = (DF) XC = DF/ 2πfCPower Loss = (2πfCV2 ) (DF)PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角)rms = 0.707 × VpKVA = 2πfCV2 × 10-3T.C. = [ (Ct – C25) / C25 (Tt – 25) ] × 106CD = [ (C1 – C2) / C1 ] × 100L0 / Lt = (Vt / V0)X (Tt / T0)Yn 个电容串联：1/CT = 1/C1 + 1/C2 + …. + 1/Cn两个电容串联：CT = C1 · C2 / (C1 + C2)CT = C1 + C2 + …. + CnA.R. = % ?C / decade of timeK = 介电常数；A = 面积；TD = 绝缘层厚度；V = 电压；RS = 串联电阻；f = 频率；L = 电感感性系数；δ = 损耗角；Ф = 相位角；L0 = 使用寿命；Lt = 试验寿命；Vt = 测试电压；V0 = 工作电压；Tt = 测试温度；T0 = 工作温度；X , Y = 电压与温度的效应指数。4）电容的总阻抗（欧姆）Z = √ [ RS2 + (XC – XL)2 ]5）容性电抗（欧姆）XC= 1/(2πfC)6）相位角 Ф理想电容器：超前当前电压 90?理想电感器：滞后当前电压 90?理想电阻器：与当前电压的相位相同7）耗散系数 (%)D.F. = tan δ （损耗角）= ESR / XC= (2πfC)(ESR)8）品质因素Q = cotan δ = 1/ DF9）等效串联电阻 ESR（欧姆）ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC10）功率消耗Power Loss = (2πfCV2 ) (DF)11）功率因数PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角)12）均方根rms = 0.707 × Vp13）千伏安 KVA （千瓦）KVA = 2πfCV2 × 10-314）电容器的温度系数T.C. = [ (Ct – C25) / C25 (Tt – 25) ] × 10615）容量损耗(%)CD = [ (C1 – C2) / C1 ] × 10016）陶瓷电容的可靠性L0 / Lt = (Vt / V0)X (Tt / T0)Y17）串联时的容值n 个电容串联：1/CT = 1/C1 + 1/C2 + …. + 1/Cn两个电容串联：CT = C1 · C2 / (C1 + C2)18）并联时的容值CT = C1 + C2 + …. + Cn19）重复次数（Againg Rate）A.R. = % ?C / decade of time上述公式中的符号说明如下：K = 介电常数；A = 面积；TD = 绝缘层厚度；V = 电压；RS = 串联电阻；f = 频率；L = 电感感性系数；δ = 损耗角；Ф = 相位角；L0 = 使用寿命；Lt = 试验寿命；Vt = 测试电压；V0 = 工作电压；Tt = 测试温度；T0 = 工作温度；X , Y = 电压与温度的效应指数。十电源输入端的 X,Y 安全电容在交流电源输入端，一般需要增加三个电容来抑制 EMI 传导干扰。交流电源的输入一般可分为三根线：火线（L）/零线（N）/地线（G）。在火线和地线之间及在零线和地线之间并接的电容，一般称之为 Y 电容。这两个 Y 电容连接的位置比较关键，必须需要符合相关安全标准，以防引起电子设备漏电 或机壳带电，容易危及人身安全及生命，所以它们都属于安全电容，要求电容值不能偏大，而耐压必须较高。一般地，工作在亚热带的机器，要求对地漏电电流不能超过 0.7mA；工作在温带机器，要求对地漏电电流不能超过 0.35mA。因此， Y 电容的总容量一般都不能超过 4700pF。EDA365电子论坛特别提示：Y 电容为安全电容，必须取得安全检测机构的认证。Y 电容的耐压一般都标有安全认证标志和 AC250V 或 AC275V 字样，但其真正的直流耐压高达 5000V 以上。因此，Y 电容不能随意使用标称耐压 AC250V，或 DC400V 之类的普通电容来代用。在火线和零线抑制之间并联的电容，一般称之为 X 电容。由于这个电容连接的位置也比较关键，同样需要符合安全标准。因此，X 电容同样也属于安全电容 之一。X 电容的容值允许比 Y 电容大，但必须在 X 电容的两端并联一个安全电阻，用于防止电源线拔插时，由于该电容的充放电过程而致电源线插头长时间带电。安全标准规定，当正在工作之中的机器电源线被拔掉时，在两秒钟内，电源线插头两端带电的电压(或对地电位)必须小于原来额定工作电压的 30%。同理，X 电容也是安全电容，必须取得安全检测机构的认证。X 电容的耐压一般都标有安全认证标志和 AC250V 或 AC275V 字样，但其真正的直流耐压高达 2000V 以上，使用的时候不要随意使用标称耐压 AC250V，或 DC400V 之类的普通电容来代用。X 电容一般都选用纹波电流比较大的聚脂薄膜类电容，这种电容体积一般都很大，但其允许瞬间充放电的电流也很大，而其内阻相应较小。普通电容纹波电流的指标都很低，动态内阻较高。用普通电容代替 X 电容，除了耐压条件不能 满足以外，一般纹波电流指标也是难以满足要求的。实际上，仅仅依赖于 Y 电容和 X 电容来完全滤除掉传导干扰信号是不太可能的。因为干扰信号的频谱非常宽，基本覆盖了几十 KHz 到几百 MHz，甚至上千 MHz 的频率范围。通常，对低端干扰信号的滤除需要很大容量的滤波电容，但受到安全条件的限制，Y 电容和 X 电容的容量都不能用大；对高端干扰信号的滤除，大容量电容的滤波性能又极差，特别是聚脂薄膜电容的高频性能一般都比较差。因为它是用卷绕工艺生产的，并且聚脂薄膜介质高频响应特性与陶瓷或云母相比相差很远，一般聚脂薄膜介质都具有吸附效应，它会降低电容器的工作频率，聚脂薄膜电容工作频率范围大约都在 1MHz 左右，超过 1MHz 其阻抗将显著增加。因此，为抑制电子设备产生的传导干扰，除了选用 Y 电容和 X 电容之外，还要同时选用多个类型的电感滤波器，组合起来一起滤除干扰。电感滤波器多属于低通滤波器，但电感滤波器也有很多规格类型，例如有：差模、共模，以及高频、低频等。每种电感主要都是针对某一小段频率的干扰信号滤除而起作用，对其它频率的干扰信号的滤除效果不大。通常，电感量很大的电感，其线圈匝数较多，那么电感的分布电容也很大。高频干扰信号将通过分布电容旁路掉。而且，导磁率很高的磁芯，其工作频率则较低。目前，大量使用的电感滤波器磁芯的工作频率大多数都在 75MHz 以下。对于工作频率要求比较高的场合，必须选用高频环形磁芯，高频环形磁芯导磁率一般都不高，但漏感特别小，比如，非晶合金磁芯，坡莫合金等。

介电常数比较低的区域。低介电是介电常数比较低的电解质，密度大会造成信号延迟和功率损耗的集中区域，低介电在信息科技产业领域，微电子产品的多功能化、高性能化及轻薄化的发展大大推动了超高密度和超大规模集成电路关键技术及材料的发展。

特价优质监控专用视频线SYV75-3-1/2(64P)产品名称：监控专用视频线产品型号：SYV75-3-1/2(64P)长度：200米/卷重量：5.1Kg线芯：纯铜特性阻抗：75Ω绝缘标称外径：3.0±0.20mm护套：聚氯乙烯5.0±0.2内导体：裸铜线φ0.5mm(单股或多股)介电常数：ε=2.2-2.4衰减：≤0.15dB/m绝缘电阻：5000MΩ/km使用温度：-40～65℃相对温度：40℃时达98%安装敷设温度：≤-15℃允许最小弯曲半径：室内使用时不小于5倍电缆外径；室外使用时不小于10倍电缆外径标准：GB/T14864-93用途：用于视频监控线路、会议视频等电子线路架设、工程装修讯号传输、影音器材连接以及其它电子装置，传输射频信号

1、质量 m2、温度 t3、速度 v4、密度 ρ5、力（重力） F6、压强 P7、功 W8、功率 P一、力(F)：力是物体对物体的作用，物体间力的作用总是相互的。力的单位：牛顿（N）。二、力的三要素：力的大小、方向、作用点叫做力的三要素。力的图示，要作标度；力的示意图，不作标度。三、重力G：由于地球吸引而使物体受到的力。方向：竖直向下。重力和质量关系：G=mg m=G/g，g=9.8牛/千克。读法：9.8牛每千克，表示在地球上质量为1千克物体所受重力为9.8牛。扩展资料：光学：一、光的直线传播：光在同一种均匀介质中是沿直线传播的。小孔成像、影子、光斑是光的直线传播现象。光在真空中的速度最大为3×10^8米/秒=3×10^5千米/秒二、光的反射定律:一面二侧三等大。入射光线和法线间的夹角是入射角。反射光线和法线间夹角是反射角。1、平面镜成像特点：虚像，等大，等距离，与镜面对称。物体在水中倒影是虚像属光的反射现象。2、平面镜成像实验不用平面镜而用玻璃是便于找到像的位置，比较像与物的大小关系三、光的折射现象和规律： 看到水中筷子、鱼的虚像是光的折射现象。凸透镜对光有会聚光线作用，凹透镜对光有发散光线作用。 光的折射定律：一面二侧三随大四空大。四、凸透镜成像规律：U=f时不成像 U=2f时 V=2f成倒立等大的实像1、u>2f f<v<2f 倒缩小实，照相机。2、f<u<2f v>2f 倒放大实，幻灯机。3、u<f 放大正虚 放大镜五、凸透镜成像实验：将蜡烛、凸透镜、光屏依次放在光具座上，使烛焰中心、凸透镜中心、光屏中心在同一个高度上。参考资料来源：百度百科-初中物理

一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏， 这个电容器的电容就是1法，即：C=Q/U 但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即：C=εS/4πkd 。其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离）。 定义式：C=Q/U 　　电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C 　　多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn 　　多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 　　三电容器串联：C=（C1*C2*C3）/（C1*C2+C2*C3+C1*C3）可以给分咯

介电常数读法：/"epsu026alu0252n/。介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场（真空中）与最终介质中电场比值即为介电常数( permittivity）又称诱电率，与频率相关。介电常数是相对介电常数与真空中绝对介电常数乘积。如果有高介电常数的材料放在电场中，电场的强度会在电介质内有可观的下降。理想导体的相对介电常数为无穷大。根据物质的介电常数可以判别高分子材料的极性大小。通常，相对介电常数大于3.6的物质为极性物质；相对介电常数在2.8~3.6范围内的物质为弱极性物质；相对介电常数小于2.8为非极性物质。相对介电常数εr可以用静电场用如下方式测量：首先在两块极板之间为真空的时候测试电容器的电容C0。然后，用同样的电容极板间距离但在极板间加入电介质后测得电容Cx。然后相对介电常数可以用下式计算εr=Cx/C0。在标准大气压下，不含二氧化碳的干燥空气的相对电容率εr=1.00053。因此，用这种电极构形在空气中的电容Ca来代替C0来测量相对电容率εr时，也有足够的准确度。

1、介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场（真空中）与最终介质中电场比值即为介电常数，又称诱电率，与频率相关。 2、介电常数是相对介电常数与真空中绝对介电常数乘积。如果有高介电常数的材料放在电场中，电场的强度会在电介质内有可观的下降。理想导体的相对介电常数为无穷大。

一般而言,介电常数越大,分子极性越大. 对于极性物质那就是更能溶解.

一般而言,介电常数越大,分子极性越大. 对于极性物质那就是更能溶解.

介质损耗正切角：表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小。δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。介质损耗不但消耗了电能，而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大，甚至会引起介质的过热而绝缘破坏，所以从这种意义上讲，介质损耗越小越好。介质损耗正切角是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数，为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。扩展资料：原理：材料介电性能主要用介电常数ε和介电损耗角正切tanδ来表征，其中介电常数是综合反映电介质极化行为的宏观物理量。介电损耗角正切表征每个周期内介质损耗的能量与其贮存能量之比 。作用：在实际工程应用中，介质损耗通常都是用介质损耗角的正切tanδ来表示的。用tanδ值来研究电介质损耗具有以下两个明显的优点：（1）tanδ值可以和介电常数ε同时测量得到；（2）tanδ值与测量样品的大小和形状都无关，是电介质自身的属性，并且在许多情况下，tanδ值比ε值对介质特性的改变敏感的多。参考资料来源：百度百科——介质损耗

在真空的介电常数是个定值

dielectric [,daii"lektrik] adj. 非传导性的；诱电性的n. 电介质；绝缘体短语dielectric constant[电] 介电常数；[电] 介质常数；电容率；[电] 介电质常数dielectric isolation[电] 介质隔离；[电] 介电质隔离dielectric antenna[电讯] 电介质天线；[电讯] 介质天线dielectric constant 介电常数；电容率 dielectric loss [化]介电损耗 dielectric strength 介电强度；绝缘强度 dielectric layer 介电层；介质膜 dielectric property 介电特性；介电性质

介电性能是指在电场作用下,表现出对静电能的储蓄和损耗的性质，通常用介电常数和介质损耗来表示.材料应用高频技术时，如实木复合地板采用高频热压时介电性能是非常重要的性质。介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数(permittivity),又称诱电率。绝缘性就是使用不导电的物质将带电体隔离或包裹起来的特性，以防止触电的一种安全措施。良好绝缘性对于保证电气设备与线路的安全运行。高频绝缘性就是在高频率条件下的绝缘性能

1、表面效应是指纳米粒子表面原子与总原子数之比随着粒径的变小而急剧增大后所引起的性质上的变化。表9-2给出了纳米粒子尺寸与表面原子数的关系。随粒径减小，表面原子数迅速增加。另外，随着粒径的减小，纳米粒子的表面积、表面能的都迅速增加。这主要是粒径越小，处于表面的原子数越多。表面原子的晶体场环境和结合能与内部原子不同。表面原子周围缺少相邻的原子，有许多悬空键，具有不饱和性质，易于其他原子想结合而稳定下来，因而表现出很大的化学和催化活性。2、量子尺寸粒子尺寸下降到一定值时，费米能级接近的电子能级由准连续能级变为分立能级的现象称为量子尺寸效应。Kubo采用一电子模型求得金属超微粒子的能级间距为：4Ef/3N式中Ef为费米势能，N为微粒中的原子数。宏观物体的N趋向于无限大，因此能级间距趋向于零。纳米粒子因为原子数有限，N值较小，导致有一定的值，即能级间距发生分裂。半导体纳米粒子的电子态由体相材料的连续能带随着尺寸的减小过渡到具有分立结构的能级，表现在吸收光谱上就是从没有结构的宽吸收带过渡到具有结构的吸收特性。在纳米粒子中处于分立的量子化能级中的电子的波动性带来了纳米粒子一系列特性，如高的光学非线性，特异的催化和光催化性质等。3、量子隧道微观粒子具有贯穿势垒的能力称为隧道效应。人们发现一些宏观量，例如微颗粒的磁化强度、量子相干器件的磁通量以及电荷等亦具有隧道效应，它们可以穿越宏观系统的势垒产生变化，故称为宏观的量子隧道效应。用此概念可定性解释超细镍微粒在低温下保持超顺磁性等。4、介电限域纳米粒子的介电限域效应较少不被注意到。实际样品中，粒子被空气﹑聚合物﹑玻璃和溶剂等介质所包围，而这些介质的折射率通常比无机半导体低。光照射时，由于折射率不同产生了界面，邻近纳米半导体表面的区域、纳米半导体表面甚至纳米粒子内部的场强比辐射光的光强增大了。这种局部的场强效应，对半导体纳米粒子的光物理及非线性光学特性有直接的影响。对于无机-有机杂化材料以及用于多相反应体系中光催化材料，介电限域效应对反应过程和动力学有重要影响扩展资料：纳米材料大致可分为纳米粉末、纳米纤维、纳米膜、纳米块体等四类。其中纳米粉末开发时间最长、技术最为成熟，是生产其他三类产品的基础。1 纳米陶瓷利用纳米技术开发的纳米陶瓷材料是利用纳米粉体对现有陶瓷进行改性，通过往陶瓷中加入或生成纳米级颗粒、晶须、晶片纤维等，使晶粒、晶界以及他们之间的结合都达到纳米水平，使材料的强度、韧性和超塑性大幅度提高。它克服了工程陶瓷的许多不足，并对材料的力学、电学、热学、磁光学等性能产生重要影响，为代替工程陶瓷的应用开拓了新领域。随着纳米技术的广泛应用，纳米陶瓷随之产生，希望以此来克服。陶瓷材料的脆性，使陶瓷具有像金属似柔韧性和可加工性。英国材料学家Cahn指出，纳米陶瓷是解决陶瓷脆性的战略途径。 纳米耐高温陶瓷粉涂层材料是一种通过化学反应而形成耐高温陶瓷涂层的材料2 纳米粉末又称为超微粉或超细粉，一般指粒度在100纳米以下的粉末或颗粒，是一种介于原子、分子与宏观物体之间处于中间物态的固体颗粒材料。可用于：高密度磁记录材料；吸波隐身材料；磁流体材料；防辐射材料；单晶硅和精密光学器件抛光材料。微芯片导热基片与布线材料；微电子封装材料；光电子材料；先进的电池电极材料；太阳能电池材料；高效催化剂；高效助燃剂；敏感元件；高韧性陶瓷材料（摔不裂的陶瓷，用于陶瓷发动机等）；人体修复材料；抗癌制剂等。3 纳米纤维指直径为纳米尺度而长度较大的线状材料。可用于：微导线、微光纤（未来量子计算机与光子计算机的重要元件）材料；新型激光或发光二极管材料等。静电纺丝法是制备无机物纳米纤维的一种简单易行的方法。4 纳米膜纳米膜分为颗粒膜与致密膜。颗粒膜是纳米颗粒粘在一起，中间有极为细小的间隙的薄膜。致密膜指膜层致密但晶粒尺寸为纳米级的薄膜。可用于：气体催化（如汽车尾气处理）材料；过滤器材料；高密度磁记录材料；光敏材料；平面显示器材料；超导材料等。5 纳米块体纳米块体是将纳米粉末高压成型或控制金属液体结晶而得到的纳米晶粒材料。主要用途为：超高强度材料；智能金属材料等。应用范围：1、 天然纳米材料海龟在美国佛罗里达州的海边产卵，但出生后的幼小海龟为了寻找食物，却要游到英国附近的海域，才能得以生存和长大。最后，长大的海龟还要再回到佛罗里达州的海边产卵。如此来回约需5～6年，为什么海龟能够进行几万千米的长途跋涉呢？它们依靠的是头部内的纳米磁性材料，为它们准确无误地导航。生物学家在研究鸽子、海豚、蝴蝶、蜜蜂等生物为什么从来不会迷失方向时，也发现这些生物体内同样存在着纳米材料为它们导航。2、 纳米磁性材料在实际中应用的纳米材料大多数都是人工制造的。纳米磁性材料具有十分特别的磁学性质，纳米粒子尺寸小，具有单磁畴结构和矫顽力很高的特性，用它制成的磁记录材料不仅音质、图像和信噪比好，而且记录密度比γ-Fe2O3高几十倍。超顺磁的强磁性纳米颗粒还可制成磁性液体，用于电声器件、阻尼器件、旋转密封及润滑和选矿等领域。3、 纳米陶瓷材料传统的陶瓷材料中晶粒不易滑动，材料质脆，烧结温度高。纳米陶瓷的晶粒尺寸小，晶粒容易在其他晶粒上运动，因此，纳米陶瓷材料具有极高的强度和高韧性以及良好的延展性，这些特性使纳米陶瓷材料可在常温或次高温下进行冷加工。如果在次高温下将纳米陶瓷颗粒加工成形，然后做表面退火处理，就可以使纳米材料成为一种表面保持常规陶瓷材料的硬度和化学稳定性，而内部仍具有纳米材料的延展性的高性能陶瓷。4、纳米传感器纳米二氧化锆、氧化镍、二氧化钛等陶瓷对温度变化、红外线以及汽车尾气都十分敏感。因此，可以用它们制作温度传感器、红外线检测仪和汽车尾气检测仪，检测灵敏度比普通的同类陶瓷传感器高得多。5、 纳米倾斜功能材料在航天用的氢氧发动机中，燃烧室的内表面需要耐高温，其外表面要与冷却剂接触。因此，内表面要用陶瓷制作，外表面则要用导热性良好的金属制作。但块状陶瓷和金属很难结合在一起。如果制作时在金属和陶瓷之间使其成分逐渐地连续变化，让金属和陶瓷“你中有我、我中有你”。最终便能结合在一起形成倾斜功能材料，它的意思是其中的成分变化像一个倾斜的梯子。当用金属和陶瓷纳米颗粒按其含量逐渐变化的要求混合后烧结成形时，就能达到燃烧室内侧耐高温、外侧有良好导热性的要求。参考资料：百度百科——纳米材料

ε,希腊字母第五个字母,大写Ε,小写ε,拉丁字母的 E 是从ε变来。也可以指的是美式英语中使用的一个音标。也是德国物理学家普朗克能量量子化假说中的最小能量值ε(叫能量子)。 物理学应用: 一个导体的介电常数,也是德国物理学家普朗克能量量子化假说中的最小能量值ε(叫能量子)。 静力学中表示线应变。集合符号∈由ε演变。对数之基数,阶越函数。

1、vt末速度就是一个物体在运动结束时刻的瞬时速度。有公式：平均速度=(v0 + vt)/2，式中Vo是初速度，vt是末速度，a是加速度，t为加速的时间。2、vo又称初速率(initial rate)。反应速度作为时间函数作图画一曲线的正切即为初速度。符号为v。指酶促反应最初阶段的反应速度。此阶段特点：(1)酶反应速度保持恒定不变；(2)底物浓度没有明显减少，通常指5%的底物被利用；(3)产物浓度非常低；(4)逆反应可忽略不计。扩展资料：匀加速直线运动基本公式速度公式： V=V0+at(由于V0、a是定值，于是V是关于t的一次函数)位移公式: s=V0t+(at^2)/2速度位移公式：V^2-V0^2=2aS时间中点的速度：vt/2=(v1+v2)/2位移中点的速度：vs/2=(2v1v2)/(v1+v2)=√(（v0^2 + vt^2）/2) v1 v2分别为前一段位移速度和后一段位移速度特殊的等时间间隔内的加速度公式：a=(Sm-Sn)/(m-n)t^2 （Sm-Sn表示m与n处的位移差）特殊的等时间间隔内相邻位移求加速度公式：a=△S/t^2 (△S表示前后位移的变化量）v0 vt分别为初速度和末速度Δx=aT^2 （应用：打点计时器等中）参考资料：百度百科-末速度参考资料：百度百科-初速度参考资料：百度百科-匀加速直线运动

不同类型的贴片电容NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一，NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。X7R 此种材质比NPO 稳定性差，但容量做的比NPO 的材料要高，容量精度在10%左右。X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。Y5V 此类介质的电容，其稳定性较差，容量偏差在20%左右，对温度电压较敏感，但这种材质能做到很高的容量，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中。扩展资料：电容作用1、旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。 这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。2、去耦去耦，又称解耦。 从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流。由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。3、滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。4、储能储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。参考资料来源：百度百科-贴片电容

光照的意思如下。“光照”意思是光线的照射，是生物生长和发育的必要条件之一；光辉照耀，多用于比喻，比喻阳光照耀人间。

复介电常数复介电常数的虚部是由材料内部的各种转向极化跟不上外高频电场变化而引起的各种弛豫极化所致，代表着材料的损耗项。中文名复介电常数含义介质电流与电压相位相同公式ε=C/Co=D/(εoE)介电常数介电常数为一恒定值电介质物理恒定电场作用下介质电流与电压相位相同，介电常数为一恒定值。ε=C/Co=D/(εoE)但是在交变电场中，如果介质中存在松弛极化，那么D与E之间就会存在相位差，导致介电常数为一个复数。定义见图片

PPE指的是聚丙乙烯。PPE是聚丙乙烯，通常商业上提供的PPE材料一般都混入了其他热塑性材料例如PS、PA等材料的复合材料。这样加工成型后具有良好的几何稳定性、化学稳定性，电绝缘性和低热膨胀系数。这种材料通常用于家庭用品，电气设备等。扩展资料：通常商业上提供的PPE或PPO材料一般都混入了其他热塑型材料。这些混合材料一般仍称之为PPE或PPO。混合型的PPE或PPO比纯净的材料有好的多的加工特性。特性的变化依赖于混合物如PPO和PS的比率。混入了PA66的混合材料在高温下具有更强的化学稳定性。这种材料吸湿性很小，其制造品具有优良的几何稳定性。混入了PS的材料是非结晶性的，而混入了PA的材料是结晶性的。加入玻璃前卫添加剂可以是收缩率减小到0.2%。这种材料还具有优良的电绝缘特性和很低的热膨胀系数。其黏性取决于材料中混合物的比率，PPO的比率增大将导致黏性增加。参考资料来源：百度百科—PPE

应该是Vt^2—Vo^2=2ax 吧这是根据之前的一个位移公式和初末速度公式推导出来的.设初速度为v,末速度为vt则x=vt＋1/2at^2（1）；vt=v＋at（2）（1），（2）联立消去t得：vt^2－v^2=2ax 明白？

极板间距越小，电容越大。极板间距越大，电容越小，电容和极板间距成反比。电容的大小还和两极板的正对面及极板间物质的介电常数有关，正对面积越大，电容越大。介电常数越大，电容也越大。

1、AIN是一种在热、电、光和机械等方面具有良好综合性能的材料，作为电子薄膜材料在微电子、电子元件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用。 2、AIN陶瓷具有较高的热导率，其膨胀系数与Si材料更匹配，且介电常数低，适用于高功率、多引线和大尺寸芯片，是替代AI2O3、BeO基板材料的最好材料。近年来AIN 陶瓷的研究受到世界各国的青睐，其研究与开发已经取得令人瞩目的进展。 3、虽然AIN陶瓷的应用前景十分广阔，但作为理想的基板材料，还存在着成本高，高温下难致密烧结，生产中的重复性差等问题。因此，如果能大幅度降低优质粉体的合成成本，引入合适的烧结助剂，实现在较低温度下致密烧结，稳定地获得高质量的流延基片，并解决其金属化的问题，它将在SIP领域获得越来越广泛的应用。

电容百分之几指的是误差。例如：电容上的5μF±5％ 的意思是：5μF是电容的容量，±5％ 是电容量的误差，即此电容的容量范围4.75μF～5.25μF之间。电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下自由电荷的储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。相关计算：一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法拉，即：C=Q/U 。但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即电容的决定式为：C=εrS/4πkd 。其中，εr是相对介电常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为极板间介质的介电常数，ε=εrε0，ε0=1/4πk，S为极板面积，d为极板间的距离）。

折射系数是根据光进入某一物体前后的角度算出来的，公式为[sin(i)]/[sin(r)],其中i=入射角，r=折射角。最近两年来，一种称为“左手征介质（left-handed media）”的人工复合超材料在固体物理、材料科学、光学和应用电磁学领域内开始获得愈来愈广泛的青睐。这种首先由俄国人菲斯拉格在1967年考虑的虚构材料具有许多奇特性质，比如它的折射系数是负数，电磁波在其中的能量传播方向与它的波矢（相位传播方向）相反。这种材料具有负的折射系数的原因在于它的介电常数和磁导率都是负数。在我们过去所熟悉的通常介质（它的介电常数和磁导率都是正数，折射率也是正数，现在我们可以称它为“右手征材料”）中，由电磁场的麦克斯韦方程知道，入射电磁波的电场、磁场和波矢(相位传播方向)三者构成右手正交系。但是在这种负折射系数“左手征材料”中，电磁波的电场、磁场和波矢却构成左手系，这就是这种材料被命名为“左手征材料”的原因。由于左手征材料的显著特点是它的介电常数和磁导率都是负数，所以有人也称之为“双负介质（材料）”；通常我们称它为“负折射系数材料”，简称“负材料”；也有人称它为” 菲斯拉格材料”，因为它毕竟是由菲斯拉格首先研究的，尽管在当时它还是一种假想的材料。其实，这类负折射系数左手征材料的发现等于开辟了材料（物质）世界的另一个半边天，有人甚至将它的发现与狄拉克1928年预言“反物质”（镜像物质）的工作相比较。反物质是这么一种物质，它所在的世界的规律恰好与我们正物质世界中的镜子中的规律一样，比如他们所谓的左就是我们所谓的右。镜像世界是一个“左撇子”世界。因为一旦正反物质一碰，当即湮灭为能量（光子），因此如果某个“外星人”伸出左手来欲与你握手，你就要赶快逃开，以避免同归于尽。拿左手征材料与反物质比较倒的确既有几分道理，又有几分相似。讲讲狄拉克的故事是有趣的，会给我们一些启发。1928年狄拉克在求解他发现的电子的相对论波动方程时，除了得到一组正能解外，还得到一组负能解。按照旧式物理学家的习惯，负能解是没有物理意义的（因为根据经验，自然界不存在质量为负数的物质），因此这个负能解可以用人为方式舍去。但在数学家看来，物理学家的这种做法显得蹩脚与鲁莽的，因为“解的完备性”是波动方程的一个起码的性质与要求，这可以使得“任何一个波函数都可以用一组完备的本征解做线性展开”这一数学技巧成为可能。狄拉克舍弃负能解，这导致他的方程的解不够完备，这在数学上是绝对不允许的，因此数学家劝告狄拉克不要丢弃那组负能解。不久物理学家发现狄拉克的负能解其实就是描述“反物质”（一种带有正电荷的电子）的解，这是一个伟大的发现。为了保持数学的优美，我们宁可牺牲一些物理常识，甚至与它决裂，这可能会迎来一片海阔天空。我们知道，在经典麦克斯韦方程中，介质的折射率平方等于介质的介电系数与磁导率的乘积，那么折射率就等于介电系数与磁导率的乘积的平方根（这样就有正根与负根之分）。过去的研究者选择了正根（正折射率），习惯性地丢弃了负根（负折射率），当然，在常见的物质中，负数折射率介质也的确从来没有遇到过，这使得丢弃负根成为一件很“自然”的事情。在这件事情上，在20世纪60年代以前的100年中我们是否也犯了数学家指责“旧式物理学家”所犯的那种失误呢？似乎没有人自觉地考虑过这个问题，直到菲斯拉格在30多年前首次主动地研究该种介质的可能光学与电磁学特性，情况才稍有所改变。菲斯拉格这篇精彩翔实的论文在1967年最初以俄文发表在苏联一个学术刊物上。英国的法雷将它翻译成了英文，并在第二年（1968年）重新发表在另一个苏联物理类学术刊物上。糟糕的是，法雷在翻译时错误地声称菲斯拉格的原始论文发表在1964年。这导致现在有些不查阅原始文献的研究人员一会儿声称菲斯拉格提出“左手征材料”概念的时间是在1964年，一会儿又说是在1968年。其实都不是，菲斯拉格提出“左手征材料”概念的时间应该是在1967年。

就是利用静电发展农业 例： 1，静电选种.1 静电选种 不同种质种子，内含化学成分不同，种子的电学特性 ( 如电导率、介电常数、膜电容及极化特性等 ) 均有差异，因而种子在静电场中的运动轨迹不同。据此原理达到分选不同活力、含水量的种子，除去破碎种子、杂质的目的，可明显提高种子纯度。康敏等人的试验表明，静电选种的发芽率、发芽势以及最终产量均有较大提高。当然，由于静电分选是按生物体的电学特性进行分选的，对与种子电学特性基本相同的混杂物分选效果较差；物料中的尘土吸附在电极板上，影响静电效应。因而可用静电选种和其它分选方法相结合，以促进农业生产。 1.2 静电种子处理 www.jingdian.cn静电场作用有利于种子体内 ATP 合成，促进酶的活化和生长。静电场产生的电位差引起细胞内外物质扩散，提高扩散通量，有利于种子吸水吸肥，提早萌发和生长；高压静电场空气击穿产生 NO 、 NO2 和臭氧，与水反应生成亚硝酸和硝酸，腐蚀种子外壳，促进种子萌发，同时臭氧的杀菌能力使种于很少发生黑穗头病。 国内研究表明：静电处理甜菜种子，使种子的发芽势和发芽率提高，块根产量增加 7.14%~10.97% ，含糖率提高 0.24 ° ~0. 36 °。静电处理还可以用于水稻、大豆、青椒、黄瓜、玉米、番茄种子等，应用效果良好。另外，那日等人用经电场处理 过的水浸泡作物种子，其吸水性和发芽势均明显高于未经过处理的种于。然而，不同植物种子对电场敏感程度不同，所以要从静电场类型和强度、静电处理时间等方面研究静电处理不同种子的影响。总之，静电场静电生物效应有待进一步研究。 1.3 静电促进作物生长 静电场作用于作物，激活了作物体内的生物能，触发了各种酶类的活化，以改善同外界的物质交换来促进生长；另外，静电场产生电晕放电，可促进植物的光合作用，使植物生长快、开花早、花期长，从而实现高产，详细机理还有待于探讨。余登苑等人对小青菜和番茄用每天加 7h 、 10kV 静电场和无静电场进行对照试验，结果表明：静电处理的小青菜 (11 天后 ) 和番茄 (22 天后 ) 的出苗率分别增加了 33.4% 和 30% ，苗高分别增加 31.4% 和 29.8% ，产量分别增加 18.3% 和 91.9% 。苗建勋对黄瓜、芹菜、番茄进行试验，结果表明：静电正离子辐射对作物的生长确有促进作用，增产幅度在 20% 左右，并有可能防治病虫害。 2 静电喷雾施药 利用静电喷雾技术防治农作物病虫害，是现代植保施药的一项新技术。该技术应用高压静电使雾滴充电，带电的雾滴在静电场作用下，快速、均匀飞向并吸附在作物上，减少了雾滴漂移，提高了农药在作物茎叶正反面、隐蔽部位的沉积率，增加了药物与病虫害接触的机会，减少了药液损失，降低了对环境的污染。 人们研究了静电场作用下的液体雾化机理和雾滴沉积形式，但整个数学模型的建立还需进一步探讨。目前，静电喷雾施药技术主要还处于试验阶段。江苏理工大学成功研制了用于草原大面积灭蝗的微量静电喷洒灭蝗车；杨宝芳等人将静电发生器和喷头组装成静电喷雾机，来进行小麦蚜虫等的防治，农药利用率可达 90% 以上，比一般常规施药节省农药 25%~50% 以上；喷头是静电雾化的关键， Moon 等人开发的容性静电喷雾喷头，在喷头锥体外安装一个环状感应电极，并加以脉冲电压，试验表明，荷电效果较好。 总之，静电喷药技术是我国施药器械发展的主导方向之一，发展前景十分广阔。应继续加强对静电喷雾技术的研究，推出实用产品，并结合弥雾机、喷杆喷雾机和航空喷雾系统等，以提高施药效率、减少对环境的污染。 3 、静电用于农产品和食品加工 3.1 保鲜 果蔬采收后仍然保持呼吸作用，但养分逐渐被分解，随着贮存时间的延长，会失水、萎蔫、产生霉斑，最终失去食用价值。因此，果蔬保鲜关键要抑制呼吸强度、抑制水分丧失、防止细菌感染、延缓熟化。果蔬保鲜的方法有冷藏、气调、减压、化学药剂保鲜等，将静电技术应用于果蔬等保鲜具有良好的效果和应用前景。 3.1.1 表面静电涂敷 20 世纪 60 年代，国外开始推广应用表面静电涂敷技术。表面静电涂敷依靠高压电形成的静电场，使带有电荷的涂料微粒在电场力的作用下，沉积在果蔬、食品表面以形成均匀涂膜。过去，喷涂主要是借助于喷枪，采用加压的方法使涂料微粒化而涂敷在被涂物表面，结果是涂料易分散到被涂物外，涂料和能源消耗大，污染环境，而且加工质量不易控制。表面静电涂敷能够提高产品质量、节省涂料、降低能耗，易于实现对生产工艺的自动控制，同时减少环境污染。 目前，国外已将表面静电涂敷技术用于果蔬、食品表面涂敷杀菌剂，进行防腐保鲜。我国这方面的研究和应用较少。吉林农业大学等有关部门对果蔬表面静电涂敷保鲜剂做了一定研究，对黄瓜、番茄的试验结果表明，表面静电涂敷保鲜效果显著。另外，该技术还可以用于点心食品表面涂敷调味品、甜料、增香剂和复合维生素等。总之，静电涂敷技术在食品加工中具有广阔的前景，应深入静电涂敷技术的研究与应用，满足人们的消费需求。 3.1.2 高压静电场保鲜 高压静电场促使果蔬中的电生物效应失衡和酶活性降低，抑制新陈代谢，延长贮存时间。另外，高压静电场电离空气产生一定量的臭氧、负离子和紫外线。空气负离子对农产品新陈代谢有抑制作用，可降低生物内部酶的活性。臭氧和紫外线杀灭果蔬表皮及贮藏空间的细菌和霉菌，减少农产品的霉烂。臭氧还可以分解果蔬自行产生的催熟剂乙烯，达到延缓果蔬成熟衰老的目的。 张全国等人利用高压静电处理进行番茄保鲜的试验，结果表明：贮藏保鲜时间得到有效延长，电场强度为 150kV ／ m ，处理时间为 45min 时，可使自然条件下番茄的呼吸高峰推迟 4 天出现，还可以有效地保持番茄较高的抗压强度和较低的失重率。王颉等人利用高压静电场处理桃，研究表明：桃的呼吸强度、果实细胞膜渗透性得到抑制，成熟衰老延缓，果肉硬度显著提高，处理成本较低。另外，高压静电场还可以用于豌豆荚、黄瓜、苹果、香蕉、红薯、谷物等的保鲜。高压静电场保鲜具有良好的发展前景，但目前仍处于试验阶段，如何使之实用化是今后努力的方向。 3.2 干燥 物料干燥方法通常有对流干燥法、传导干燥法、辐射干燥法、介电干燥法。各种干燥法的共性是物料必须升温，有时温升还很高，对热敏性物料不利。例如，目前脱水蔬菜普遍采用热风干燥的方法，物料温度可达 80 ° ~90 ℃，维生素损失高，糖分损失增加，色素变化量大，芳香物质逸失速率增快。我国内蒙古大学首创静电干燥技术，利用高电压电晕电场对物料进行脱水干燥。研究人员对辣椒、胡萝卜片、马铃薯片等进行有无静电干燥的比较试验，结果表明：电晕电场中试样的失水速率、平均脱水率显著提高，干燥质量明显高于加热干燥。与传统加热干燥的传热传质不同，静电干燥技术是以电场能传质的，没有传热过程。干燥过程中物料不升温、干燥均匀、生成一定量的臭氧还可杀灭细菌。另外，静电电源的制造成本的下降使静电干燥设备造价低，干燥运行在高电压小电流的条件下，能耗低、运行费用少。总之，静电干燥技术特别适合于蔬菜、食品加工、土特产品加工、中药材加工、农作物种子干燥等，积极推广，使静电干燥技术走向工业化。 4 结论 综上所述，静电技术可以对作物种子进行分选和处理，促进作物生长；对作物进行静电喷雾，可以提高农药利用率和病虫害防治效果，减少环境污染；对农产品进行加工，满足人们生产、生活的需要。除此之外，静电技术在农业上的应用还有：静电喷粉用于植物人工授粉，提高花粉附着密度和授粉效果，提高坐果率和结实率；静电喷雾用于田间除草剂的施用，显著提高喷射雾滴水平沉积量的均匀性。总之，静电技术在农业生产中有着广阔的应用前景，应积极地加以研究，从而提高农业生产水平，满足人们生活需要。

SYWV-75-9-4P物理发泡射频电缆（也叫同轴电缆），阻抗75Ω，绝缘外径8.90±0.10 ，4P表示屏蔽层结构；编织：内120/0.15、外外120/0.15（n/mm)，铝箔：34×0.075单粘、36×0.05双面。SYWV是一种闭路电视线，在工程中称为RF线。 75-9是电缆的规格，4P是指32 + 64双层双层铝箔，SC是焊接钢管，40是管径，FWC，可分为FC和WC。意味着嵌入式地面（FC）和暗墙（WC）该标记连接到75-9双层双层铝箔射频电缆，该电缆穿着40焊接钢管嵌入地面或暗墙中扩展资料：SYWV-75-5：sywv也是聚乙烯填充，但充有80%的氮气气泡，聚乙烯只含有20%，宏观平均介电常数ε=1.4左右；ε=εǎ?jε",其中，ε"为损耗项，空气的ε"基本为“0”，这一工艺成就于90年代，它有效降低了同轴电缆的介电损耗工作原理：同轴电缆由里到外分为四层：中心铜线（单股的实心线或多股绞合线），塑料绝缘体，网状导电层和电线外皮。中心铜线和网状导电层形成电流回路。因为中心铜线和网状导电层为同轴关系而得名。同轴电缆传导交流电而非直流电，也就是说每秒钟会有好几次的电流方向发生逆转。如果使用一般电线传输高频率电流，这种电线就会相当于一根向外发射无线电的天线，这种效应损耗了信号的功率，使得接收到的信号强度减小。参考资料：百度百科-同轴电缆

应该是叫PVDF吧，没那个啊，PVDF是偏二氟乙烯高分子量的聚合物，它属于结晶性材料，熔点为338F，密度为 1.78g／CC。其强度、耐磨性和抗蠕变性比 PTFE、FEP和 PFA高得多；耐大多数化学品和溶剂，以及氧化剂如液体澳和澳盐溶液；具有良好的耐候性,在空气中不燃烧；与其它氟塑料相比具有很高的介电常数（8—9）和损耗因 数；在 148～302F温度范围具有的性能良好。 PVDF可制成粉状、粒料和分散体系（邻苯二甲酸二甲酯和二异丁基甲酮中含44％的树脂）。它可用挤塑、注射模塑、传递模塑，也可通过干粉或分散体喷涂技术用作涂料，半成品有膜、板、棒和单纤维。美国市场销售的PVDE有 AtOChem Inc的 Kpor牌、Sovay公司的 Soef牌， Daikin公司的Neoflon牌及 Ansimont公司的 Hylar牌。

1、AIN是一种在热、电、光和机械等方面具有良好综合性能的材料，作为电子薄膜材料在微电子、电子元件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用。 2、AIN陶瓷具有较高的热导率，其膨胀系数与Si材料更匹配，且介电常数低，适用于高功率、多引线和大尺寸芯片，是替代AI2O3、BeO基板材料的最好材料。近年来AIN 陶瓷的研究受到世界各国的青睐，其研究与开发已经取得令人瞩目的进展。 3、虽然AIN陶瓷的应用前景十分广阔，但作为理想的基板材料，还存在着成本高，高温下难致密烧结，生产中的重复性差等问题。因此，如果能大幅度降低优质粉体的合成成本，引入合适的烧结助剂，实现在较低温度下致密烧结，稳定地获得高质量的流延基片，并解决其金属化的问题，它将在SIP领域获得越来越广泛的应用。

　用两片金属箔做电极，夹在极薄绝缘介质中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，介质是涤纶。涤纶薄膜电容， 涤纶电容介电常数较高，体积小，容量大，稳定性较好，适宜做旁路电容。　　突出优点：薄膜电容的精度、损耗角、绝缘电阻、温度特性、可靠性及适应环境等指标都优于电解电容，瓷片电容两种电容。 　　突出缺点：容量价格比及容量体积比都大于以上两种电容。　　用途：在各种直流或中低频脉动电路中使用。　　参数识别：　　在国外电容器耐压值的表示方法中，2A表示耐压为1．0×10^2V=100V，　　例如 823表示容量为82000Pf ，J表示容量允许偏差为±5％。　　2A823J 即82000Pf±5％，耐压100V。　　电容器的参数标注方法　　（一） 直标法：将电容器的主要参数（标称容量、额定电压、及允许偏差）直接标注在电容器上，如0.0047μf/275V，0.0047μf是容量，相当于4700Pf，275V应是耐压（不属优选数系列）。　　（三） 文字符号法：采用数字或字母与数字混合的方法来标注电容器的主要参数。　　3， 数字标注法 一般是用3位数字表示电容器的容量。其中前两位为有效值数字，第三位为倍乘数（即表示有效值后有多少个0）。如104，表示有效值是10，后面再加4个0，即100000Pf=0．1μf。　　4， 字母与数字混合标注法 用2—4位数字表示有效值，用P、n、M、μ、G、m等字母表示有效数后面的量级。进口电容器在标注数值时不用小数点，而是将整数部分写在字母之前，将小数部分写在字母后面。如4P7表示4．7Pf，3m3表示3300μf等。　　电容器的容量的允许偏差标注字母及含义：　　字母 含义　　F ±1％ 　　G ±2％ 　　J ±5％ 　　K ±10％ 　　M ±20％　　N ±30％ 　　如104K表示容量100000Pf=0．1μf，容量允许偏差为±10％。　　（资料来源《通用电子元器件的选用与检测》）　　国产电容器标注可查阅《GB/T 2691-1994 电阻器和电容器的标志代码》

104代表它的标称值,0.1uF,算法很简单,10*10^4=10000pF=0.1uF,J表示精度,意为正负5%(这个是国标,没有道理好讲)。应该是涤纶电容。涤纶电容用两片金属箔做电极，夹在极薄绝缘介质中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，介质是涤纶。涤纶薄膜电容，介电常数较高，体积小，容量大，稳定性较好，适宜做旁路电容。涤纶电容2A104J其中2A是指1.0*100 即耐压100V的电容 A为1.0 ,2为100。

应力锥的作用是改善金属护套末端电场分布、降低金属护套边缘处电场强度。在电缆终端和接头中，自金属护套边缘起绕包绝缘带(或者套橡塑预制件)，使得金属护套边缘到增绕绝缘外表之间，形成一个过渡锥面的构成件称为应力锥(在设计中，锥面的轴向场强应是一个常数)。扩展资料为了简化施工，也有采用应力管代替应力锥的，它是用非线性电阻材料做成的管子， 紧套在电缆绝缘层表面， 或用非线性电阻材料做成绝缘带绕包在电缆绝缘表面。电缆运行时， 应力管层中产生一个极小的电流，其表面相应有一个线性压降，从而减小了电缆的轴向应力。另一种应力管是采用高介电常数材料，其作用原理是利用电力线在不同介电常数材料中的折射现象来控制轴向应力。应力管不像应力锥需要较大的绝缘厚度，简化了现场安装工艺，并缩小了电缆终端的外形尺寸，便于同其他紧凑的设备连接，因此适用于极紧凑的场所。在10～35 kV组合电器的电缆终端中，大多采用应力管，而在35 kV以上电压等级的电缆终端中，也在逐渐采用。

LPDDR5T是一种新型的移动DRAM（内存）技术，由SK海力士开发，是LPDDR5X的升级版，具有更高的速度和更低的功耗。LPDDR5T的全称是Low Power Double Data Rate5 Turbo，意为低功耗双倍数据速率5涡轮，是在标准的LPDDR5后加上了“Turbo”字样，以突出其最大的速度特点。LPDDR5T的数据传输速率达到了9.6Gbps（每秒9.6千兆位），比上一代的LPDDR5X（8.5Gbps）提高了13%。这意味着LPDDR5T可以每秒处理77GB的数据，相当于一秒钟传输15部全高清电影。LPDDR5T的工作电压范围是1.01V到1.12V，与LPDDR5X相同，但是能够在更低的电压下实现更高的速度，从而降低了功耗和发热。LPDDR5T是一种专为移动设备（如智能手机和平板电脑）设计的内存技术，旨在满足5G网络和人工智能等应用的需求，提供更流畅的系统通信和更优秀的用户体验。LPDDR5T采用了HKMG（高介电常数金属栅）工艺，这是一种先进的制程技术，可以减少DRAM晶体管内的漏电流，提高电容，从而提升产品性能。LPDDR5T技术的意义它是一种提高移动设备性能和效率的内存技术，可以支持5G网络和人工智能等高速和高密度的数据处理，提供更流畅的系统通信和更优秀的用户体验。它是一种创新的内存技术，采用了先进的制程技术和设计技术，实现了更高的速度和更低的功耗，突破了传统的内存技术的限制，为移动DRAM市场的发展带来了新的可能性。它是一种过渡的内存技术，是在LPDDR5X之后，LPDDR6之前的产品，是一种填补市场需求和技术空白的产品，为下一代的内存技术的研发和应用提供了经验和基础。

真空磁导率=4pi*10^(-7)T*m/A